Патент №2434315 - Светоизлучающее устройство с гетерофазными границами

Настоящее изобретение относится к области светоизлучающих устройств, в частности к высокоэффективным светоизлучающим диодам на основе нитридов третьей группы Периодической системы химических элементов. Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит подложку, буферный слой, сформированный на подложке, первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа, сформированный на буферном слое, второй слой из полупроводника с проводимостью p-типа и активный слой, расположенный между первым и вторым слоями. Первый, второй и активный слои образуют чередование слоев со структурой фазы цинковой обманки и слоев со структурой фазы вюрцита, с образованием гетерофазных границ между ними. Изобретение обеспечивает повышение эффективности (коэффициента полезного действия) светоизлучающего устройства за счет того, что в светоизлучающем устройстве имеются гетерофазные границы, которые позволяют избежать формирования потенциальных ям для дырок, повысить однородность распределения дырок в активном слое и обеспечить подавление безызлучательной рекомбинации Оже. 10 з.п. ф-лы, 5 ил.