Патент №2454484 - Способ производства литой мишени для магнетронного распыления из сплава на основе молибдена

Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых металлических мишеней для нанесения тонкопленочной металлизации различного назначения в микроэлектронике и других высоких технологиях. Заявлены способ производства литой мишени для магнетронного распыления из сплава на основе молибдена и полученная этим способом мишень. Способ включает получение слитка сплава на основе молибдена. Предварительно получают поликристаллический слиток молибдена высокой чистоты путем глубокого вакуумного рафинирования электронно-лучевым капельным переплавом заготовки, изготовленной из молибдена высокой чистоты, затем проводят дуговой вакуумный переплав поликристаллического слитка молибдена высокой чистоты с полосами из монокристаллического кремния высокой чистоты, причем количество полос выбирают из условия получения поликристаллического слитка сплава с составом молибден - 0,005-1,0 мас.% кремния, который подвергают механической обработке. Повышается качество полупроводниковых приборов и интегральных схем за счет повышения химической стойкости пленок, а также стабильности величины переходного сопротивления контактов при термообработке. 2 н.п. ф-лы, 2 табл., 1 пр.

Классификация патента

Код Наименование
МПК C22C 27/04Сплавы на основе рения или тугоплавких металлов, не отнесенные к группам 14/00 или 16/00 - сплавы на основе вольфрама или молибдена
МПК C23C 14/35Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие - с использованием магнитного поля, например распыление магнетроном
МПК H01J 23/00Конструктивные элементы приборов с использованием времени пролета электронов, отнесенных к группе 25/00