Патент №2456627 - Устройство для кулонометрического измерения электрофизических параметров наноструктур транзистора n-моп в технологиях кмоп/кнд

Изобретение относится к области измерительной техники, к измерению электрофизических параметров (ЭФП) полупроводниковых транзисторных структур и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП. Устройство для кулонометрического измерения электрофизических параметров наноструктур транзистора n-МОП в технологиях КМОП/КНД включает генератор прямоугольных импульсов напряжения положительной полярности, тестовый конденсатор МДП, токоограничивающий резистор нагрузки RH и осциллографический регистратор формы импульса, соединенные последовательно конденсатор МДП и резистор нагрузки со стороны затвора конденсатора МДП одним концом подключены к резистору RН, согласующему волновое сопротивление измерительной линии, в месте присоединения R1 к сигнальному концу измерительной линии, а вторым концом, со стороны RH, соединены с узлом соединения R1 с общей шиной нулевого потенциала измерительной линии, сигнальный конец которой с другой стороны соединен с входной цепью генератора прямоугольных импульсов, а к узлу соединения конденсатора МДП и резистора нагрузки RH подключены входные цепи осциллографического регистратора. Технический результат изобретения - измерение таких ЭФП, среди которых: профиль распределения концентрации носителей заряда в буферных слоях структур КНД; их подвижности; величины стационарного встроенного заряда в структуре МДП; сопротивление утечки подзатворного диэлектрика при синхронизации воздействия на структуру МДП импульсного ионизирующего излучения (ИИИ) и прямоугольного импульса напряжения при длительности цикла измерения менее 1 мс в процессе или непосредственно после воздействия ИИИ. 5 з.п. ф-лы, 11 ил., 1 табл.