Патент №2457265 - Способ очистки циркония от гафния

Изобретение относится к химической технологии получения ядерно-чистого циркония, конкретно к технологии очистки циркония от гафния, и может быть использовано на рудоперерабатывающих предприятиях и в атомной промышленности. Способ разделения циркония и гафния включает сублимацию при нагреве исходного тетрафторида циркония, содержащего тетрафторид гафния, и десублимацию образующихся паров. Пары фторидов перед десублимацией пропускают над или через слой диоксида циркония, содержащего не более 0,03 мас.% гафния. При этом высота слоя при пропускании через слой диоксида циркония составляет 140-150 мм, а при пропускании над слоем диоксида циркония длина слоя составляет 1950-2100 мм. Техническим результатом изобретения является проведение процесса разделения циркония и гафния за одну ступень в одном аппарате. Сам процесс является безотходным, так как образующийся в результате реакции диоксид гафния является промежуточным продуктом для получения металлического гафния. 2 табл.

Warning: mysqli_connect(): (HY000/1040): Too many connections in /mnt/data/www/vhosts/allpatents.ru/public_html/helper.php on line 79 Невозможно подключиться к базе данных. Код ошибки: Too many connections