Патент №2474010 - Нанокомпозитный термоэлектрик и способ его получения
Изобретение относится к области наноструктурированных и нанокомпозитных материалов. Одним из основных применений изобретения являются термоэлектрики с улучшенной добротностью. Задачей изобретения является модификация электрических свойств материалов за счет изменения концентрации носителей электрических зарядов в нанокомпозитах. Сущность: нанокомпозитный термоэлектрический материал состоит из нанокристаллов термоэлектрика и распределенных среди них легирующих молекул фуллерена. Концентрацией носителей заряда управляют за счет концентрации вводимых легирующих молекул фуллерена, забирающих электроны из нанокристаллов термоэлектрика и являющихся квантовыми ловушками для электронов. Объемную концентрацию легирующих молекул фуллеренов Kлегир, которые добавляют в нанокомпозитный термоэлектрик, определяют по разности Kнанокомпозит и Kисходная, деленной на среднее число k забранных из нанокристаллов электронов, приходящихся на одну легирующую молекулу фуллерена, а именно: Kлегир=(Kнанокомпозит -Kисходная)/k. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 4 табл., 3 ил.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК B82B 1/00 | Наноструктуры |
МПК H01L 35/16 | Термоэлектрические приборы, содержащие переход между различными материалами, т.е. приборы, основанные на эффекте Зеебека или эффекте Пельтье, с другими термоэлектрическими и термомагнитными эффектами или без них; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов - содержащих теллур, селен или серу |
МПК H01L 35/34 | Термоэлектрические приборы, содержащие переход между различными материалами, т.е. приборы, основанные на эффекте Зеебека или эффекте Пельтье, с другими термоэлектрическими и термомагнитными эффектами или без них; способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов - способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частейдля изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей вообще 21/00 |