Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. Диодная светоизлучающая структура формируется на монокристаллическом кремнии с ориентацией поверхности (111) или (100). Активная зона светоизлучающего элемента представляет собой наноразмерные кристаллиты (нанокристаллиты) полупроводникового дисилицида железа, упруго встроенные в монокристаллический эпитаксиальный кремний. Перед формированием активной зоны на подложку наносится слой нелегированного кремния для ее пространственного отделения от подложки (буферный слой). Нанокристаллиты образуются при эпитаксиальном заращивании предварительно сформированных на буферном слое методом молекулярно-лучевой эпитаксии наноостровков полупроводникового дисилицида железа. Применение особых режимных параметров обеспечивает высокую концентрацию нанокристаллитов в активной зоне. Изобретение обеспечивает повышение эффективности светоизлучающего элемента за счет обеспечения возможности уменьшения размеров кристаллитов полупроводникового дисилицида железа -FeSi2 (до 20-40 нм) с высокой плотностью (количеством кристаллитов в единице объема кремниевой матрицы) и в силу этого упругого их встраивания в кремниевую матрицу и большей напряженности внутренней структуры. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.
Классификация патента
| Код |
Наименование |
| МПК H01L 33/26 | Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов - материалы светоизлучающей области |
| МПК H01S 5/30 | Полупроводниковые лазеры - структура или форма активной зоны; материалы, используемые для активной зоны |
