Патент №2486287 - Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин и регенерации травильных растворов

Изобретение относится к очистке поверхности полупроводниковых пластин от металлических загрязнений, а также к регенерации отработанных травильных растворов и может быть использовано в радиотехнической, электротехнической и других отраслях промышленности. Способ включает травление полупроводниковых пластин в ванне с раствором NH 4HF2, непрерывно инжектируемым потоком озон-кислородной смеси с концентрацией озона 15,9 об.%, и их промывку деионизованной водой. Также в способе осуществляют регенерацию отработанного травильного раствора NH4HF2 путем контактного осаждения ионов железа и меди на бракованные кремниевые пластины, помещаемые в ванну с упомянутым раствором, непрерывно инжектируемым потоком озон-кислородной смеси. Изобретение обеспечивает очистку поверхности полупроводниковых пластин от металлических загрязнений, а также позволяет создать замкнутую технологию очистки упомянутых пластин и регенерации отработанных травильных растворов с минимальным расходом химикатов. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.