Патент №2491679 - Способ измерения локальных электромагнитных полей на поверхности гетероструктур

Изобретение относится к области измерений неоднородностей поверхностей гетероструктур. Способ заключается в измерении в геометрии на отражение сигнала второй гармоники от поверхности образца, облучаемой пикосекундными лазерными импульсами мощностью, необходимой для генерации второй оптической гармоники, но не превосходящей мощности пробоя. При этом направление поляризации линейно-поляризованного излучения накачки плавно изменяется с помощью вращения полуволновой пластины. Одновременно с изменением направления поляризации излучения накачки вращается анализатор, пропускающий излучение второй гармоники, для определения морфологических особенностей составляющих слой полупроводниковых кристаллов. Сканирование слоя микрокристаллов при изменении расстояния от фокусирующей линзы до образца в условиях жесткой фокусировки позволяет определить качество гетероструктуры по толщине. Изобретение обеспечивает повышение качества наносимых слоев гетероструктур за счет измерения интенсивности распределения локальных электромагнитных полей на поверхности микрослоя и определения кристаллографических и морфологических характеристик составляющих слой микрокристаллов. 1 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.