Патент №2493297 - Способ выращивания монокристаллов германия
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов германия в форме диска из расплава и может быть использовано для изготовления объективов в устройствах регистрации инфракрасного излучения. Монокристаллы германия выращивают в кристаллографическом направлении [111] после выдержки при температуре плавления в течении 1-2 часов, при температурном градиенте у фронта кристаллизации в пределах (10,0÷18,0) К/см, обеспечивающем плотность дислокации на уровне (2·105-5·105) на см 2. Изобретение позволяет получать монокристаллы германия со значительным увеличением площади приема сигнала за счет направленного введения в выращиваемый кристалл заданной концентрации дислокации и их превращения из стандартных дефектов кристалла в активно действующие элементы устройств инфракрасной оптики. 3 ил., 1 табл.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК B29D 11/00 | Изготовление оптических элементов, например линз, призм |
| МПК C30B 15/02 | Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского - добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе |
| МПК C30B 15/36 | Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского - отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией |
| МПК C30B 29/08 | Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой - германий |
| МПК C30B 29/64 | Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой - плоские кристаллы, например пластины, ленты, диски |
| МПК C30B 33/00 | Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой |
| МПК G02B 1/02 | Оптические элементы, отличающиеся по материалу - изготовленные из кристаллов, например каменной соли, из полупроводников 1/08 имеет преимущество |