Патент №2516771 - Резистивный флэш элемент памяти

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в достижении воспроизводимости окна гистерезиса резистивного элемента памяти. Резистивный флэш элемент памяти содержит полупроводниковую подложку с выполненным на ее рабочей поверхности проводящим электродом, на котором расположен слой диэлектрика, на слое диэлектрика выполнен второй проводящий электрод, причем проводящий электрод со стороны диэлектрика снабжен выступом, обеспечивающим локализацию формирования проводящей электрический ток нити через диэлектрик и необходимую напряженность электрического поля для формирования нити и протекания электрического тока, при этом со стороны диэлектрика выступом, обеспечивающим локализацию формирования проводящей электрический ток нити через диэлектрик и необходимую напряженность электрического поля для формирования нити и протекания электрического тока, снабжен проводящий электрод, выполненный на рабочей поверхности подложки, или второй проводящий электрод, выполненный на слое диэлектрика. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.