МПК C30B 23/00 – Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала
Содержание категории:
| Код | Наименование |
|---|---|
| C30B 23/02 | Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала - выращивание эпитаксиальных слоев |
|
| |
| C30B 23/04 | Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала - отложение образцов, например с использованием защитных слоев |
| C30B 23/06 | Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала - нагревание камеры для осаждения, подложки или испаряемого материала |
| C30B 23/08 | Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала - конденсацией ионизированных паровразбрызгиванием продуктов реакции 25/06 |
Патенты в категории:
- Способ выращивания монокристалла aln и устройство для его реализации
Изобретение относится к технологии получения объемных монокристаллов и может быть использовано, преимущественно, в оптоэлектронике при изготовлении подложек для различных оптоэлектронных устройств, в том числе светодиодов, излучающих свет в...
- Способ получения монокристаллического sic
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC включает сублимацию...
- Способ получения микрокристаллов нитрида алюминия
Изобретение относится к области выращивания микромонокристаллов нитрида алюминия. Микрокристаллы нитрида алюминия получают из смеси газа и паров алюминия. Нанопорошок алюминия размещают между полюсами постоянного магнита и нагревают. Процесс...
- Способ получения монокристаллического sic
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC сублимацией источника SiC на затравочный монокристалл SiC предусматривает...
- Способ получения кристаллов фуллерена с60 особой чистоты
Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов из парогазовой фазы. Способ включает низкотемпературную обработку порошка фуллерена С 60 в динамическом вакууме 10-4 Па при температуре 720 K в течение 3 часов,...
- Устройство для производства монокристаллического нитрида алюминия, способ производства монокристаллического нитрида алюминия и монокристаллический нитрид алюминия
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического нитрида алюминия, который входит в состав светоизлучающих диодов и лазерных элементов. Устройство включает тигель 9, во внутренней части которого находится исходный нитрид алюминия 11 и...
- Тигель для выращивания монокристаллического слитка карбида кремния с нитридом алюминия и гетероструктур на их основе
Изобретение относится к устройствам для получения твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия, используемых в производстве силовых, СВЧ- и оптоэлектронных приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах. Тигель включает...
- Способ получения монокристаллического sic
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC предусматривает сублимацию источника SiC 9, размещенного...
- Тигель для выращивания объемного монокристалла нитрида алюминия (aln)
Изобретение относится к устройствам для получения полупроводников и предназначено, в частности, для производства коротковолновых оптоэлектронных полупроводниковых приборов, работающих при высоких температурах в агрессивных средах. Тигель для...
- Способ получения больших однородных кристаллов карбида кремния с использованием процессов возгонки и конденсации
Изобретение может быть использовано в изготовлении полупроводниковых материалов. Способ получения монолитных кристаллов карбида кремния включает i) помещение смеси, содержащей крошку поликристаллического кремния и порошок углерода, на дно...