МПК H01L 29/70 – Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них - биполярные приборы
Патенты в категории:
- Светотранзистор
Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. В отличие от обычного биполярного транзистора, согласно изобретению, один p-n-переход транзистора сформирован в виде светоизлучающего. Для р-n-р-транзистора излучающим переходом является...
- Мощная полупроводниковая структура
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: мощная полупроводниковая структура содержит ряд окруженных со всех сторон областью первого типа...
- Мощная полупроводниковая структура
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет увеличить величину полезной мощности на единицу площади полупроводниковой структуры. Сущность...
- Высоковольтный полупроводниковый прибор
Изобретение относится к области мощных высоковольтных приборов и может быть использовано для создания элементной базы преобразовательных устройств. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый прибор включает кремниевый диффузионный планарный...
- Мощная полупроводниковая структура
Использование: в полупроводниковой электронике. Техническим результатом изобретения является повышение отношения выходной мощности к площади полупроводниковой структуры с неравномерным распределением протяженности ее активной области в направлении,...