МПК H01L 29/861 – Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них - диоды
Патенты в категории:
- Высоковольтный самосовмещенный интегральный диод
Использование: микроэлектроника, полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: интегральный диод содержит область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком, сформированным в подложке, и...
- Блокирующий диод для солнечных батарей космических аппаратов
Изобретение относится к области дискретных полупроводниковых приборов, в частности к блокирующим диодам для солнечных батарей космических аппаратов. Техническим результатом заявленного изобретения является создание бескорпусного блокирующего диода для...
- Импульсный лавинный s-диод
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в источниках питания полупроводниковых лазеров, мощных полупроводниковых светодиодов, диодов Ганна, системах сверхширокополосной локации. Сущность изобретения: в структуре импульсного...
- Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод
Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двухконтактных областей, выполненных из легированного GaAs с...
- Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод
Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с...
- Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод
Изобретение относится к электронным приборам, в частности к полупроводниковым приборам, и может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном...
- Диод силовой низкочастотный выпрямительный непланарный и способ его изготовления
Изобретение относится к области силовой промышленной электронной техники. Сущность изобретения: диод силовой низкочастотный выпрямительный непланарный на рабочий ток свыше 1000 А и рабочее напряжение не менее 1000 В содержит внутренний контакт, на...
- Диод на основе одностенной углеродной нанотрубки и способ его изготовления
Изобретение относится к технологическим процессам производства компонентов микроэлектроники и вычислительных схем. Сущность изобретения: диод на основе одностенной углеродной нанотрубки включает одиночную одностенную углеродную нанотрубку, содержащую...
- Мощный кремниевый диод с улучшенной термостабильностью
Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых диодов с улучшенной термостабильностью. Техническим результатом изобретения является получение положительной...
- Высоковольтный диод на основе 6н карбида кремния
Изобретение относится к промышленной электронике и может быть использовано в электрических устройствах, эксплуатируемых в экстремальных условиях: космос, повышенная радиация, высокие температуры. Технический результат, достигаемый при реализации...