Патент №2007739 - Устройство для измерения характеристик полупроводников

Использование: для определения добротности, концентрации легирующей примеси и глубоких примесных центров в полупроводниковых материалах, пленках и приборов (МДП-структуры, p-n-переходы, контакты металл - полупроводник, эпитаксиальные слои и др). Сущность изобретения: введение новых блоков позволяет подавать на вторую клемму для подключения полупроводника противофазное напряжение постоянной амплитуды и осуществить аналоговую обработку сигналов в режиме конпенсации. Это позволяет повысить устойчивость работы отрицательной обратной связи для поддержания постоянства тока через измеряемую емкость и снизить тестирующие напряжения на образце, расширить диапазон измеряемых добротностей. Введение схемы компенсации в измерительном канале концентрации позволяет повысить точность измерения параметров глубоких уровней и проводить автоматические измерения распределения концентрации глубокого уровня по глубине. 1 ил.