Патент №2025827 - Способ контроля параметров полупроводниковых материалов

Применение: изобретение относится к способам контроля парметров полупроводниковых материалов, используемых преимущественно в электронной промышленности при контроле качества полупроводниковых материалов и полупроводниковых приборов в условиях низких температур. Сущность изобретения: определяют зависимость тока прыжковой проводимости от температуры образца. Облучают образец ионизирующим излучением, генерирующим электронно-дырочные пары, с последующим определением зависимости релаксации тока прыжковой проводимости от времени при постоянной температуре и квазиравновесных условиях. Величину энергии активации прыжковой проводимости, степень компенсации и концентрацию ловушек определяют расчетным путем с использованием полученных зависимостей. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.