Патент №2069414 - Способ легирования кремния халькогенами

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов, в частности в процессах легирования кремния халькогенами, и может быть использовано при изготовлении термодатчиков, фотоприемников. Сущность: способ включает в себя ионное легирование, отжиг и диффузионную разгонку примеси при температуре 600 - 1350oC и последующую закалку. Закалку проводят посредством импульсного отжига в течение от 80 миллисекунд до 10 секунд с удельной мощностью от 50 Вт/см2 до 1 кВт/см2. 3 табл.