Патент №2105385 - Полупроводниковый прибор с барьером шоттки
Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор с барьером Шоттки на фосфиде индия, содержит контакт металл-фосфид индия, сформированный в окне диэлектрика и защитного эпитаксиального слоя твердого раствора InxGa1-x As (0x0,53), нанесенного в процессе эпитаксиального роста на рабочий слой InP. 1 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 29/00 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них |