Патент №2137242 - Материал на основе алмаза с низким порогом полевой эмиссии электронов

Изобретение относится к области материалов электронной техники, а более конкретно - к электродным материалам для полевой эмиссии. Материал выполнен из частиц алмаза, связанных между собой графитоподобной углеродной матрицей, при этом размер частиц алмаза не превышает 50 мкм. Содержание в материале углеродной матрицы не должно быть более 3 мас.%. Могут быть использованы порошки алмаза с частицами (так называемый ультрадисперсный алмаз или наноалмаз) менее 20 нм, а также смеси указанного порошка и алмазных микропорошков размеров частиц от 0,1 до 60 мкм. Технический результат заключается в получении материала, который в сочетании с низким порогом эмиссии обладает стабильностью и воспроизводимостью эмиссионных свойств, однородностью эмиссионных свойств по поверхности материала, достаточно высоким уровнем электропроводности, необходимым для применения материала в качестве эмиттеров, что обеспечивает возможность получения планарных эмиттеров большой площади. 3 з. п.ф-лы.