Патент №2148871 - Источник атомарного водорода для молекулярно-лучевой эпитаксии

Использование: полупроводниковая техника, в молекулярно-лучевой эпитаксии для предэпитаксиальной подготовки подложек, а также в процессе выращивания эпитаксиальных слоев. Сущность изобретения: источник атомарного водорода содержит две концентрические трубы, средства подачи в источник газа, соединенные с внутренней трубой, расщепитель, служащий для термического разложения молекул газа, средства, обеспечивающие подведение электрического питания к этому расщепителю. Расщепитель выполнен из тонкой вольфрамовой фольги. Со стороны входного конца он имеет форму трубки, входной конец которой надет на наконечник внутренней трубы. Выходные концы полос, изогнутых в виде петель, продолжаются с внешней стороны трубки-расщепителя в сторону входного ее конца и соединяются с внешней трубой. Внутренняя и внешняя концентрические трубы являются электрическими контактами, обеспечивающими подвод электропитания к расщепителю. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности взаимодействия потока газа с расщепителем, исключение участка с пониженной температурой на выходном конце расщепителя и исключение столкновений молекул газа с элементами, имеющими более низкую температуру, чем расщепитель. 2 з.п.ф-лы, 4 ил.