Патент №2180368 - Способ выращивания монокристаллов кварца

Изобретение относится к способам получения синтетических монокристаллов кварца и гидротермальных растворов методом температурного перепада и может быть использовано для получения высококачественного оптического кварца, используемого в оптико-механической и радиоэлектронной промышленности. Сущность изобретения: монокристаллы кварца выращивают гидротермальным методом из щелочных растворов перекристаллизацией кварцевой шихты из шихтового контейнера на горизонтально расположенные экранированные затравочные пластины при наличии температурного перепада между камерой роста и растворения, при этом используют многосекционный шихтовой контейнер с перфорированными перегородками по высоте, каждая из которых является дном следующей секции, а рост осуществляют при экранировании верхней и торцевых поверхностей затравочной пластины с прокладкой из стальной фольги между экраном и затравочной пластиной, где в начале ростового цикла проводят стравливание раствора на 25-40 МПа при неизменной температуре синтеза, а после завершения процесса выращивания проводят охлаждение автоклава с темпом 8-10oС/ч до температуры 270oС и давления 10 МПа, после чего производят окончательное стравливание раствора при том же темпе охлаждения до температуры 120oС, по достижению которой отключают электропитание нагревателей автоклава. Техническим результатом изобретения является получение высококачественного оптического кварца. 1 табл.