Патент №2229183 - Мощный биполярный вч- и свч-транзистор
Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: в биполярном ВЧ- и СВЧ-транзисторе балластные резисторы с более высокими сопротивлениями характеризуются более высокими температурными коэффициентами сопротивления (ТКС). Это приводит к большему относительному изменению сопротивления резисторов с повышенным сопротивлением при изменении температуры транзисторных структур по сравнению с сопротивлением других резисторов. В результате процесс установления в транзисторе теплового баланса носит колебательный характер с относительно малым превышением максимумами колебаний температуры транзисторных структур с худшими условиями отвода тепла, значений ее температуры в установившемся режиме. Техническим результатом изобретения является предотвращение перегрева транзисторных структур мощного ВЧ- и СВЧ-биполярного транзистора от момента его включения до установления теплового баланса за счет более быстрого увеличения сопротивления балластных резисторов, соединенных с транзисторными структурами с худшими условиями отвода тепла, относительно резисторов, соединенных с транзисторными структурами с лучшими условиями отвода тепла. Повышение надежности транзистора в динамическом режиме. 1 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 29/00 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них |