Патент №2249882 - Способ очистки изделий, преимущественно полупроводниковых пластин

Использование: в производстве полупроводниковой микроэлектроники, в частности в технологии изготовления интегральных схем, удаления позитивного фоторезиста с поверхности подложки, электрохимического травления кремния, обезжиривания поверхности, а также в других областях промышленности, где необходима высокая степень чистоты поверхности. Техническим результатом изобретения является создание ресурсо-, энергосберегающей, экологически чистой и безопасной технологии, повышение качества и эффективности удаления фоторезиста с поверхности полупроводника. Сущность изобретения: очистку поверхности Si ведут моющим раствором NH4HF2 концентрации 0,1-4 М, активированным озоном при анодной плотности тока 1-2 кА/м2, отработанный раствор очищают и активируют путем подачи его последовательно через катодную и анодную камеру электролизера. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.