Патент №2279733 - Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления

Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров содержит кремниевую подложку первого типа проводимости со скрытым слоем второго типа проводимости, размещенный на подложке эпитаксиальный слой второго типа проводимости, боковую изоляцию в эпитаксиальном слое вокруг области коллектора транзистора второго типа проводимости над скрытым слоем, первый слой диэлектрика на эпитаксиальном слое с окнами, электрод эмиттера из первого слоя поликристаллического кремния, покрытый вторым слоем диэлектрика, и расположенный в области базы, область эмиттера второго типа проводимости в кремнии под электродом эмиттера из первого слоя поликристаллического кремния, пристеночный диэлектрик, изолирующий торцы электрода эмиттера из первого слоя поликристаллического кремния, покрытого вторым слоем диэлектрика, области пассивной базы первого типа проводимости, электрод из второго слоя поликристаллического кремния, размещенный над областью базы и электродом эмиттера и имеющий вскрытие над электродом эмиттера, достаточное для размещения контактного окна к электроду эмиттера в пассивирующем диэлектрике и металлического электрода в контактном окне, слой пассивирующего диэлектрика на поверхности структуры, контактные окна, металлические электроды. Скрытый слой размещен в области дополнительного второго скрытого слоя с концентрацией примеси второго типа проводимости, незначительно превышающей концентрацию примеси в подложке, в окнах первого диэлектрика на кремнии под электродом эмиттера из поликристаллического кремния расположен тонкий слой окисла кремния, имеющий частичное вскрытие под электродом эмиттера на расчетную величину, заполненное дополнительным третьим слоем поликристаллического кремния, который на торцах электрода эмиттера имеет прокисление в виде окисла кремния в качестве пристеночного диэлектрика. Также представлен способ изготовления данной структуры. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия транзистора. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 12 ил.