Патент №2302684 - Способ изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области производства полупроводниковых кремниевых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковых приборов на кремниевых пластинах с кристаллографической ориентацией {100} характеризуется созданием на одной из сторон кремниевой пластины областей с элементами топологии полупроводниковых приборов и разделением пластины на кристаллы. Дополнительно перед разделением пластины на кристаллы проводят ее утонение путем химического травления в селективном для кристаллографической ориентации {100} травителе, а в процессе изготовления перед травлением на обратной стороне пластины формируют защитную маску, обеспечивающую защиту периферийных областей пластины таким образом, что внутренняя конфигурация периферии площади маски совпадает с наружной конфигурацией периферии площади структур на лицевой стороне пластины. Техническим результатом изобретения является повышение процента выхода годных полупроводниковых приборов. 1 табл.