Патент №2323497 - Материал для изготовления тонкопленочных резисторов и способ получения резистивной пленки на его базе

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при изготовлении высокоомных тонкопленочных резисторов с прецизионными характеристиками. Материал для изготовления тонкопленочных резисторов содержит хром, железо, алюминий, диоксид кремния, титан и алунд при следующем количественном соотношении, мас.%: хром 10-24; железо 2-8; алюминий 11-17; диоксид кремния 41-57; титан 2-8; алунд 7-13. Способ получения резистивной пленки, включающий приготовление смеси из компонентов материала, нанесение пленки на керамические основания возгонкой из смеси в вакууме с использованием испарителя с последующей термообработкой, отличается тем, что осаждение пленки проводят в два этапа, на первом из которых осуществляют за 10 с подъем тока на испарителе до 45 А, выдержку 30 с, затем на втором этапе осуществляют за 60 с подъем тока до 64 А, выдержку 30 с, после чего заготовки с осажденной пленкой подвергают вакуумной прокалке при подъеме тока за 60 с на испарителе до 52 А и выдержке 60 с и осуществляют термостабилизацию при температуре 190-260°С в течение одного-двух часов, выдерживают в течение суток на воздухе, а последующую термообработку проводят при 400-620°С. Изобретение обеспечивает получение высокоомных пленок сопротивлением 15-17 кОм с выходом годных по TKC±25÷50×10 -61/°С не менее 70-80%. 2 н.п. ф-лы, 2 табл.