Патент №2355065 - Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин в растворах с рн>7

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность изобретения: способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин в растворах с рН>7 включает изготовление контрольной кремниевой пластины с измеренным электрическим поверхностным сопротивлением в легированной области, химическую очистку контрольной пластины в растворе с рН>7 и определение изменения электрического поверхностного сопротивления в легированной области контрольной пластины, при этом изменение электрического поверхностного сопротивления должно составлять 1,0-15% от исходного значения. Способ позволит оценить степень воздействия раствора на легированные области кремния на основании установленных закономерностей изменения поверхностного сопротивления. В сочетании с существующими способами контроля этот способ позволит провести правильный выбор процесса химической очистки и режимов его проведения на любом этапе изготовления интегральной микросхемы. 1 табл.