Патент №2385291 - Способ получения кристаллического кремния высокой чистоты (варианты)

Изобретение может быть использовано для производства кремния полупроводникового качества. Процесс ведут в две стадии в реакторе плазменной печи при температуре выше 1500°С. На первой стадии восстановления в качестве кремнийсодержащего соединения вводят в реактор кварцевую крупку, а в качестве восстановителя вводят смесь моноокиси углерода с водородом, взятых в объемном соотношении 1:1. На второй стадии очистки кремния вводят в реактор химически активные по отношению к примесям газы и вакуумируют объем реактора. В варианте изобретения анод подключают к токопроводящему корпусу реактора и расплавленному кремнию, вводят в реактор кварцевую крупку, а в качестве восстановителя вводят в реактор смесь метана, пропана или ацетилена с кислородом, взятых в объемном соотношении 2:1. Процесс возможно осуществлять на переменном токе с частотой выше 5 кГц. Изобретение позволяет получать высокочистый кремний экологически безопасным способом с низкими потерями и себестоимостью. 3 н.п. ф-лы.