Патент №2410795 - Силовой полупроводниковый прибор с регулируемым напряжением переключения

Изобретение относится к конструкции силового полупроводникового прибора. Техническим результатом изобретения является повышение критической скорости нарастания тока при переключении прибора в случае перенапряжений. Сущность изобретения: силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе кремниевой пластины n-типа электропроводности с двумя главными поверхностями, содержащий, по меньшей мере, один эмиттерный n+-слой со стороны первой главной поверхности, базовый p-слой, выходящий на первую главную поверхность и образующий с эмиттерным n+-слоем эмиттерный n +-p-переход, базовый n-слой, смежный с базовым p-слоем и образующий с ним коллекторный p-n-переход, эмиттерный p +-слой со стороны второй главной поверхности, металлизации эмиттерных p+- и n+-слоев и базового p-слоя, триодную зону p+-n-p-типа между металлизациями эмиттерного p+-слоя и базового p-слоя и вокруг нее тиристорную зону p+-n-p-n+-типа между металлизациями эмиттерных р+- и n+-слоев, локальную область с водородсодержащими донорами в базовом n-слое в пределах триодной зоны p+-n-p-типа, расположенную между коллекторным p-n-переходом и серединой базового n-слоя и простирающуюся, по крайней мере, на часть тиристорной зоны, прилегающую к триодной зоне, дополнительную локальную область с водородсодержащими донорами в базовом p-слое, которая расположена под периферийной частью эмиттерного n+-слоя. 2 ил.