Патент №2431215 - Способ получения слоя поликристаллического кремния

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов. Сущность изобретения: в способе получения слоя поликристаллического кремния расположенный на подложке стекла или кремния со слоем диоксида кремния слой аморфного кремния подвергают кристаллизации посредством лазерной обработки. Используют импульсное излучение фемтосекундного диапазона длительностью от 30 до 120 фемтосекунд с длиной волны и плотностью энергии, вызывающими в аморфном кремнии фазовый переход с формированием слоя поликристаллического кремния. Фазовый переход кристаллизации стимулирован электрон-дырочной плазмой, характеризуется отсутствием передачи энергии подложке. При обработке используют излучение с длиной волны ближнего ультрафиолетового или ближнего инфракрасного диапазона, что соответствует второй или первой гармонике титан-сапфирового лазера. Значение средней длины волны излучения, выбираемой от 390 до 810 нм, обеспечивает поглощение по всей толщине слоя аморфного кремния. Плотность энергии от 20 до 150 мДж/см2 обуславливает при заданной толщине слоя аморфного кремния от 20 до 130 нм формирование сплошного поликристаллического слоя на участке воздействия излучения. В результате достигается расширение ассортимента приборных структур со слоем поликристаллического кремния и расширение диапазона толщин исходных пленок аморфного кремния. 10 з.п. ф-лы, 5 ил.