МПК C30B 33/00 – Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой
Содержание категории:
| Код | Наименование |
|---|---|
| C30B 33/02 | Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой - термообработка 33/04, 33/06 имеют преимущество |
|
| |
| C30B 33/04 | Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой - с использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц |
| C30B 33/06 | Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой - соединение кристаллов |
| C30B 33/08 | Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой - травление |
| C30B 33/10 | Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой - в растворах или расплавах |
| C30B 33/12 | Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой - в газовой среде или плазме |
Патенты в категории:
- Способ обработки цилиндрических поверхностей сапфировых деталей, сапфировая плунжерная пара и насос-дозатор на ее основе
Группа изобретений относится к устройствам, в частности плунжерным парам и насосам-дозаторам на их основе, а также к изготовлению устройств и их частей, в частности к способу обработки цилиндрических поверхностей деталей из кристалла на основе...
- Способ выращивания монокристаллов германия
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов германия в форме диска из расплава и может быть использовано для изготовления объективов в устройствах регистрации инфракрасного излучения. Монокристаллы германия выращивают в...
- Способ огранки мягкого ювелирного материала, например жемчуга, с высокоточной полировкой на свободном абразиве
Изобретение относится к области обработки (огранка, шлифовка, полировка) кристаллов, таких как, например, сфалерит, церуссит, а также иных материалов, таких как янтарь, жемчуг и другие с твердостью менее 4 по шкале Мооса. Способ огранки мягкого...
- Монокристаллический алмазный материал
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического алмазного материала для электроники и ювелирного производства. Способ включает выращивание монокристаллического алмазного материала методом химического осаждения из паровой или газовой...
- Способ обработки алмаза
Изобретение относится к технологии обработки алмаза, в частности к его термохимической обработке. Способ включает нанесение на поверхность алмаза слоя спиртовой клеевой смеси, содержащей переходный металл, такой как Fe, Ni или Со, и термообработку...
- Способ одновременного получения нескольких ограненных драгоценных камней из синтетического карбида кремния - муассанита
Изобретение относится к выращиванию и обработке монокристаллов синтетического карбида кремния - муассанита, который может быть использован для электронной промышленности, ювелирного производства, а также в качестве стекла или корпуса для часов. Способ...
- Кристалл sic диаметром 100 мм и способ его выращивания на внеосевой затравке
Изобретение относится к полупроводниковым материалам и технологии их получения и может быть использовано в электронике. Полупроводниковый кристалл карбида кремния содержит монокристаллическую затравочную часть 21 и монокристаллическую выращенную часть...
- Способ изготовления монокристаллических кремниевых пластин
Изобретение относится к обработке выращенных методом Чохральского монокристаллов кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин - элементов солнечных батарей и интегральных схем. Способ изготовления...
- Способ обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката
Изобретение относится к обработке пьезоэлектрических подложек, в частности касается прецизионной обработки пластин лантангаллиевого силиката ориентации (0, 138.5, 26.7) методом шлифовки и полировки. Изобретение может быть использовано при изготовлении...
- Электроискровой способ резки полупроводниковых пластин
Способ может быть использован при резке хрупких неметаллических материалов, в частности полупроводниковых пластин типа (Bi хSb1-x)2(TeySe1-y )3, обладающих низкой электропроводностью. Два электрических импульса прикладывают к промежутку между...