Патент №2137253 - Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин
Использование: в области изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки исходных пластин-подложек. Технический результат: улучшение структурного совершенства полупроводниковых пластин за счет уменьшения в них концентрации дефектов. Сущность изобретения: облучают нерабочую сторону пластин ионами средних энергий и проводят отжиг пластин, причем перед облучением пластины упруго деформируют изгибом так, чтобы рабочая сторона стала выпуклой, и в деформированном состоянии обрабатывают в химически неактивной жидкости ультразвуком с частотой 20-40 кГц в течение 60-90 мин. 2 табл.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК H01L 21/00 | Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей |