Патент №2156520 - Способ контроля структурного совершенства монокристаллических полупроводниковых пластин

Использование: микроэлектроника, для контроля степени дефектности и структурного совершенства монокристаллических полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: в способе контроля структурного совершенства монокристаллических полупроводниковых пластин, включающем механическое шлифование, полирование и химическое полирование поверхности контролируемой стороны пластин, измерение структурно-чувствительного параметра материала и облучение пластин легкими частицами с энергией 0,5-5 МэВ до изменения измеряемого параметра, облучение пластин проводят с противоположной контролируемой стороны, которую до облучения механически шлифуют или полируют и формируют структурно нарушенный слой толщиной не менее пробега внедряемых частиц, а о степени структурного совершенства пластин судят по величине изменения измеряемого параметра после облучения. Технический результат: повышение чувствительности при контроле структурного совершенства монокристаллических полупроводниковых пластин.