Патент №2159483 - Эпитаксиальная полупроводниковая структура нитридов элементов группы а3
Использование: полупроводниковые приборы: светодиоды, лазерные диоды, биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в эпитаксиальной полупроводниковой структуре нитридов элементов группы А3 на кристаллической подложке между р-слоем и внешним металлическим контактным слоем размещен слой полупроводникового соединения InAs р-типа. В полупроводниковом соединении InAs р-типа часть атомов In замещена атомами Ga и/или Al. Техническим результатом изобретения является создание такой эпитаксиальной полупроводниковой структуры элементов группы А3 на кристаллической подложке, которая позволила бы увеличить КПД и долговечность полупроводниковых приборов, повысить эффективность излучения светодиодов и лазерных диодов, уменьшить количество электронных уровней на границе между двумя полупроводниками по сравнению с границей "полупроводник группы A3N - металл", значительно уменьшить сопротивление по данной границе, что обусловит существенное улучшение характеристик полупроводниковых приборов. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 33/00 | Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов |