Патент №2176422 - Способ геттерирующей обработки эпитаксиальных слоев полупроводниковых структур

Использование: в технологии изготовления дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Техническим результатом способа является повышение эффективности геттерирующей обработки за счет снижения концентрации остаточной дефектности. Сущность: в способе геттерирующей обработки, включающем аморфизацию полупроводниковых структур с нерабочей стороны подложки облучением ионами средних энергий, перед аморфизацией нерабочую сторону структур облучают протонами с энергией, равной энергии ионов при последующем облучении и дозой не ниже дозы аморфизации подложки ионным облучением. 1 табл.