Патент №2234162 - Способ изготовления автомасштабируемого биполярного транзистора

Использование: в микроэлектронике, в технологии изготовления интегральных схем высокой степени интеграции на биполярных транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления биполярного транзистора включает нанесение на подложку кремния первого слоя диэлектрика, формирование в нем травлением методом РИТ окон под базу, осаждение первого слоя поликристаллического кремния, легирование поликристаллического кремния примесью первого типа проводимости, осаждение второго слоя диэлектрика с толщиной не менее двух погрешностей совмещения на литографии. Формирование маски фоторезиста производят таким образом, что границы эмиттерных окон в фоторезисте проходят над вертикальными участками второго слоя диэлектрика, образованными на ступенях окна под базу, и располагаются не ближе одной погрешности совмещения на литографии от каждой боковой стенки вертикальных участков диэлектрика. Также способ включает вытравливание методом РИТ в окнах фоторезиста второго слоя диэлектрика на горизонтальных участках до первого слоя поликристаллического кремния, вытравливание первого слоя поликристаллического кремния до кремния, легирование кремния примесью первого типа проводимости, формирование пристеночного диэлектрика, изолирующего торцы первого слоя поликристаллического кремния в окнах под эмиттерные области, осаждение второго слоя поликристаллического кремния, легирование его примесью второго типа проводимости, формирование пассивных и активных базовых областей и эмиттерных областей, создание контактов к ним и металлизации. До осаждения первого слоя поликристаллического кремния на поверхности кремния окислением формируют тонкий слой окисла кремния. Травление первого слоя поликристаллического кремния производят методом плазмохимического травления до первого тонкого слоя окисла кремния, а травление первого тонкого слоя окисла кремния производят жидкостным травлением до кремния, а также частично под первым слоем поликристаллического кремния. Для формирования же пристеночного диэлектрика, изолирующего торцы первого слоя поликристаллического кремния, вначале осаждают третий слой поликристаллического кремния, окисляют его до кремния, а затем удаляют окисел, полученный прокислением третьего слоя поликристаллического кремния, плазмохимическим травлением только на дне окон. Техническим результатом изобретения является масштабирование размеров эмиттера и базы биполярного транзистора, что обеспечивает повышение качества и процента выхода годных. 5 з.п. ф-лы, 12 ил.