Патент №2258977 - Способ ионно-лучевого легирования кристаллов

Использование: изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-500 кэВ) энергий. Технический результат: повышение концентрации электрически активной примеси и степени однородности распределения в легированном слое за счет снижения остаточной дефектности в кристалле. Сущность изобретения: в способе ионно-лучевого легирования кристаллов, включающем внедрение ускоренных ионов легирующей примеси в кристалл и отжиг, перед отжигом измеряют поверхностное электрическое сопротивление на облученной стороне кристалла, обрабатывают кристалл в химически неактивной жидкости ультразвуком с частотой 20-40 кГц и прекращают обработку после того, как сопротивление достигает постоянного значения, а затем не позднее, чем через сутки после обработки ультразвуком, проводят отжиг. 2 табл.