Патент №2301476 - Способ изготовления гетероструктуры

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение качества гетероструктур, расширение технологической сферы применения способа. Сущность изобретения: в способе изготовления гетероструктуры, заключающемся в том, что в подложку осуществляют имплантацию ионов, предварительно на подложке формируют аморфный слой, а затем в аморфный слой на подложке имплантируют ионы слаборастворимой и легко сегрегирующей примеси или слаборастворимых и легко сегрегирующих примесей при условиях имплантации, обеспечивающих концентрацию внедренной примеси, превышающую теоретически возможный предел растворимости и приводящую к формированию эпитаксиального слоя полупроводника толщиной хотя бы в один монослой, также проводят обеспечивающую формирование отсеченного полупроводникового слоя имплантацию водорода в полупроводниковую пластину, после указанных операций осуществляют формирование на подложке, содержащей на рабочей поверхности аморфный слой, отсеченного полупроводникового слоя при условиях, обеспечивающих водородно-индуцированный перенос его с полупроводниковой пластины, после чего проводят отжиг при условиях, в совокупности обеспечивающих сегрегацию имплантированной в аморфный слой на подложке примеси к границе раздела отсеченный полупроводниковый слой - аморфный слой и эпитаксиальный рост на указанной границе раздела монокристаллического полупроводникового слоя имплантированной примеси или соединений имплантированных примесей. 16 з.п. ф-лы, 2 ил.