Патент №2307424 - Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является повышение выходной мощности и коэффициента усиления по мощности и, следовательно, повышение коэффициента полезного действия СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки. Это достигается тем, что в мощном СВЧ полевом транзисторе с барьером Шотки на полуизолирующей подложке арсенида галлия с активным слоем n-типа проводимости, толщиной не более 0,4 мкм и концентрацией легирующей примеси 2×1017-1×10 18 см3, выполненном в виде гребенки из чередующейся, по крайней мере, более одной последовательности электродов истока, затвора, стока, при этом между парами электродов исток-сток расположены области полуизолирующего арсенида галлия шириной, равной 4-6 мкм, а в парах электродов исток-сток выполнены каналы с канавками шириной, равной 0,9-1,3 мкм, и глубиной, равной 0,2-0,3 мкм, в последних расположены единичные электроды затвора длиной не более 0,7 мкм, при этом единичные электроды затвора расположены от края канавок со стороны электродов истока и стока на расстоянии, равном 0,1-0,3 и 0,5-0,7 мкм соответственно. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.