Патент №2309501 - Инжекционный полупроводниковый лазер

Изобретение относится к квантовой электронной технике и может быть использовано для накачки твердотельных лазеров. Инжекционный полупроводниковый лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую квантово-размерную активную область с примыкающими к ней верхним и нижним дополнительными слоями, верхний и нижний волноводные слои, эмиттеры р- и n-проводимости. Верхний и нижний волноводные слои примыкают к верхнему и нижнему дополнительным слоям. Эмиттеры р- и n-проводимости примыкают к волноводным слоям. Эмиттеры выполнены из твердого раствора AlX Ga1-XAs. Волноводные слои выполнены из твердого раствора AlYGa 1-YAs. Дополнительные слои выполнены из твердого раствора AlZGa1-ZAs. В твердом растворе, из которого выполнен эмиттер, значение Х находится в пределах от 0,5 до 0,7, в твердом растворе, из которого выполнены волноводные слои, значение Y находится в пределах от 0,39 до 0,41, толщина волноводных слоев находится в пределах от 1500 до 1800 нм. В твердом растворе, из которого выполнены дополнительные слои, значение Z на границах с волноводными слоями равно значению Y этих слоев и монотонно уменьшается до 0,34 Z 0,36 на границах с активной областью. Технический результат - предотвращается концентрация электромагнитного поля основной поперечной моды в дополнительном слое, снижается плотность мощности излучения на оптических гранях лазера, повышается срок службы прибора, снижаются оптические потери и повышается КПД устройства. 1 табл., 1 ил.