Патент №2309502 - Полупроводниковый инжекционный лазер

Изобретение относится к квантовой электронной технике и может быть использовано для накачки твердотельных лазеров. Согласно изобретению полупроводниковый инжекционный лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую квантово-размерную активную область, верхний и нижний волноводные слои, эмиттеры р- и n-проводимости. Эмиттер р-проводимости выполнен из твердого раствора Al XpGa1-XpAs. Эмиттер n-проводимости выполнен из твердого раствора AlXnGa 1-XnAs. Верхний волноводный слой выполнен из твердого раствора AlYвGa1-YвAs. Нижний волноводный слой выполнен из твердого раствора Al YнGa1-YнAs. В твердом растворе Al XpGa1-XpAs значение мольной доли Хр находится в пределах от 0,5 до 0,7. В твердом растворе Al XnGa1-XnAs значение мольной доли Xn находится в пределах от 0,3 до 0,4. В твердом растворе Al YвGa1-YвAs значение мольной доли Yв на границе с эмиттером р-проводимости равно значению Хр и монотонно уменьшается до 0,25 Yв 0,30. В твердом растворе AlYнGa 1-YнAs значение мольной доли Yн на границе с эмиттером n-проводимости равно значению Xn и монотонно убывает до 0,25 Yн 0,30. Толщина верхнего волноводного слоя находится в пределах 320-380 нм. Толщина нижнего волноводного слоя находится в пределах 470-530 нм. Технический результат - снижение оптических потерь и повышение КПД устройства, снижение плотности мощности излучения на оптических гранях лазера, повышение срока службы прибора. 1 табл., 1 ил.