Патент №2029415 - Полевой транзистор

Использование: в криоэлектронике при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности полностью сверхпроводниковых интегральных схем. Сущность изобретения: полевой транзистор выполнен на подложке из диэлектрического материала. На подложке расположены буферный слой с расположенными на нем проводящим каналом и затвором, выполненным из диэлектрического материала. К затвору выполнен металлический электрод. Канал выполнен из сверхпроводящего материала. Между каналом и затвором может быть расположен второй буферный слой. 4 з.п.ф-лы, 2 ил.