Патент №2132890 - Способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы a3
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения. Сущность изобретения: способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы А3 на кристаллических подложках включает создание в вакуумной камере в бесстолкновительном режиме одного или нескольких молекулярных потоков, содержащих элементы группы А3, и молекулярного потока аммиака посредством подачи его в вакуумную камеру из газового источника; отношение плотности молекулярного потока амиака к суммарной плотности молекулярных потоков элементов группы А3 лежит в пределах 100 - 10000. Изобретение позволяет повысить качество эпитаксиальных структур, а также скорость их роста. 1 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК C30B 23/00 | Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала |
| МПК C30B 25/00 | Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы |
| МПК C30B 29/00 | Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой |