Патенты — Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
Страна - Россия (RU), количество патентов - 137, получены - 1986-2011 , коллектив авторов - 237 человек.
- B01 – Способы и устройства общего назначения для осуществления различных физических и химических процессов
- B22 – Литейное производство; порошковая металлургия
- B32 – Слоистые изделия или материалы
- B82 – Нанотехнология
- C01 – Неорганическая химия
- C03 – Стекло; минеральная и шлаковая вата
- C04 – Цементы; бетон; искусственные камни; керамика; огнеупоры
- C09 – Красители; краски; полировальные составы; природные смолы; клеящие вещества; вещества или составы, не отнесенные к другим рубрикам; использование материалов, не отнесенных к другим рубрикам
- C25 – Электролитические способы; электрофорез; устройства для них
- C30 – Выращивание кристаллов
- F01 – Машины или двигатели вообще
- F16 – Узлы и детали машин; общие способы и устройства, обеспечивающие нормальную эксплуатацию машин и установок; теплоизоляция вообще
- F24 – Нагрев; вентиляция; печи и плиты
- F41 – Оружие
- F42 – Боеприпасы; взрывные работы
- G01 – Измерение
- G02 – Оптика
- G06 – Вычисление; счет
- G21 – Ядерная физика, ядерная техника
- H01 – Основные элементы электрического оборудования
- H03 – Электронные схемы общего назначения
- H04 – Техника электрической связи
- H05 – Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам
- Полупроводниковый источник инфракрасного излучения
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно к источникам, излучающим с поверхности в инфракрасном (ИК) диапазоне спектра, и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, в системах обнаружения и связи....
- Способ получения наноструктуры "металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник"
Изобретение относится к получению структур "металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник" или MIS-структур. Предложен способ получения наноструктуры "металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник", по которому на поверхность купратного...
- Способ получения кремниевых наноструктур
Способ получения кремниевых наноструктур относится к электронике, а более конкретно к технологии получения наноэлектронных структур с помощью потока заряженных частиц. Подобные структуры используют для передачи, преобразования, хранения или генерации...
- способ получения кремниевых наноструктур
Способ получения кремниевых наноструктур относится к электронике и может найти применение при изготовлении наноэлектронных структур субмикронных размеров, используемых для передачи, преобразования, хранения и генерации информационных сигналов....
- Способ количественного определения химического состава вещества и энергий связи остовных электронов
Изобретение относится к области анализа материалов с помощью рентгеновского излучения и может быть использовано для неразрушающего анализа химического состава многокомпонентных материалов и определения энергии связи остовного уровня атома, находящегося...
- Магнитный масс-спектрометр с двойной фокусировкой
Изобретение относится к области спектрометрии, а точнее к статистическим масс-спектрометрам, и может быть использовано при создании портативных приборов для изучения химического и изотопного состава газообразных жидких и твердых веществ. Техническим...
- Способ получения кремниевых наноструктур
Использование: для изготовления наноэлектронных структур субмикронных размеров, применяемых для передачи, преобразования, хранения и генерации информационных сигналов. Сущность изобретения: способ получения кремниевых наноструктур включает воздействие...
- Способ изготовления кремниевых структур
Использование: технология изготовления полупроводниковых структур, изготовление кремниевых структур, содержащих р-слой кремния над и под границей раздела, при создании приборов сильноточной электроники и микроэлектроники. Сущность изобретения: способ...
- Устройство для получения равномерного углового распределения треков корпускулярного излучения в пленочном материале (варианты)
Использование: в облучающих устройствах при ядерно-физических методах обработки материалов, в частности в устройствах для изготовления трековых мембран для уменьшения вероятности наложения треков корпускулярного излучения в пленочном материале при...
- Способ регистрации излучения
Изобретение относится к электронике. Способ регистрации излучения включает направление излучения на структуру, содержащую металлический слой, изолирующий слой в виде газового диэлектрика и широкозонный изолирующий полупроводниковый кристалл, к которой...